薄膜壓電超聲換能器包括具有硅杯結構的硅基片，位于該硅基片上的支撐層以及位于支撐層上的N個壓電換能單元；其特征在于，產(chǎn)品的硅基片的硅杯結構上部具有選擇性摻雜層，該選擇性摻雜層上具有N個與產(chǎn)品的壓電換能單元相對應的通孔。與現(xiàn)有技術相比，本產(chǎn)品能否達到以下技術效果：本產(chǎn)品可以用常規(guī)的體硅刻蝕工藝實現(xiàn)密排陣元的薄膜壓電換能器陣列，該陣列的陣元間距不受陣元間側墻厚度及傾角的限制，可根據(jù)陣列設計需要任意調整。

超聲換能器包括:與一壓縮裝置連接的安裝裝置安裝在產(chǎn)品的安裝裝置和產(chǎn)品的壓縮裝置之間的晶堆和設置在產(chǎn)品的晶堆與產(chǎn)品的壓縮裝置之間的后質量塊;其特征在于:產(chǎn)品的晶堆接觸端面和產(chǎn)品的壓縮裝置接觸端面均為平面且形狀大小相同;產(chǎn)品的壓縮裝置具有與產(chǎn)品的后質量塊接觸的后質量塊接觸面產(chǎn)品的后質量塊接觸面相對于產(chǎn)品的壓縮裝置接觸端面的幾何中心是中心對稱的產(chǎn)品的后質量塊接觸面的面積小于產(chǎn)品的壓縮裝置接觸端面的面積。本產(chǎn)品通過改進后質量塊的對稱性改善超聲換能器中應力分布的均勻性從而提高超聲換能器的效率。